收藏本站
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
20
10
150 C
5.5 V
1
o
25 C
-55 C
0.1
o
o
2. T C = 25 C
0.01
0.04
0.1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
25
1
4
* Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8 10
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
12
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.5
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
150 C
100
1.2
o
25 C
10
o
0.9
V GS = 10V
0.6
V GS = 20V
1
Notes:
* Note : T J = 25 C
0.3
0
2
4 6 8
o
10
0.2
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.7 1.4 2.1 2.8
3.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
500
400
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
300
C oss
C iss
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 50V
200
4
100
C rss
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
1
* Note : I D = 7A
2 3 4 5
Q g , Total Gate Charge [nC]
6
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD7N20TM Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD7N60NZTM MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
FDD8424H_F085 MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
FDD8424H MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
FDD8444L_F085 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
FDD8444 MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
FDD8447L MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK
FDD8451 MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
FDD8453LZ MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
相关代理商/技术参数
FDD7N25LZTM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD7N60NZ_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25???
FDD7N60NZTM 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8005 制造商:ELMEC 功能描述:
FDD8424H 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8424H_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m??
FDD8424H_F085 功能描述:MOSFET PT2 P-Channel and PT4 N-channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8424H_F085A 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube